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PJL9402_R2_00001

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30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJL9402_R2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.42000 $0.42
500 $0.4158 $207.9
1000 $0.4116 $411.6
1500 $0.4074 $611.1
2000 $0.4032 $806.4
2500 $0.399 $997.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 48mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5.8 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 235 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

FDMS86310
FDMS86310
$0 $/Stück
PMV20XNEAR
PMV20XNEAR
$0 $/Stück
SIE882DF-T1-GE3
SQJQ480E-T1_GE3
DMN63D1LW-7
IRFU7546PBF
NTMFS4108NT3G
NTMFS4108NT3G
$0 $/Stück
BUK7S1R5-40HJ
SIHP17N60D-GE3

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