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RM8N700IP

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RM8N700IP

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

RM8N700IP Technisches Datenblatt

compliant

RM8N700IP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 700 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 590 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 69W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Zugehörige Teilenummer

CSD18536KCS
CSD18536KCS
$0 $/Stück
DMT615MLFV-7
SISH536DN-T1-GE3
SIHB180N60E-GE3
AUIRFB8409
2N7002HSX
2N7002HSX
$0 $/Stück
TN2501N8-G
IXFQ60N25X3
IXFQ60N25X3
$0 $/Stück
MMDF7N02ZR2
MMDF7N02ZR2
$0 $/Stück

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