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EM6M2T2R

EM6M2T2R

EM6M2T2R

MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6

EM6M2T2R Technisches Datenblatt

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EM6M2T2R Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.14500 -
16,000 $0.14000 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA
rds ein (max) @ id, vgs 1Ohm @ 200mA, 4V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 25pF @ 10V
Leistung - max. 150mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket EMT6
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