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R6011ENX

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MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

R6011ENX Technisches Datenblatt

nicht konform

R6011ENX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.80000 $2.8
10 $2.51800 $25.18
100 $2.02350 $202.35
500 $1.66250 $831.25
1,000 $1.37750 -
2,500 $1.33000 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 390mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 670 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IRFH5301TRPBF
IRF6614TRPBF
SI1317DL-T1-BE3
PMN16XNEX
PMN16XNEX
$0 $/Stück
SQ4064EY-T1_GE3
IXFH12N90P
IXFH12N90P
$0 $/Stück
AUIRFS4115TRL
SQ3427EV-T1_GE3

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