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R6024KNJTL

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MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

R6024KNJTL Technisches Datenblatt

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R6024KNJTL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.75000 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 165mOhm @ 11.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 245W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LPTS
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NTMFS4D2N10MDT1G
NTMFS4D2N10MDT1G
$0 $/Stück
TPS1100PW
TPS1100PW
$0 $/Stück
IRF624PBF
IRF624PBF
$0 $/Stück
MSC015SMA070B
STWA20N95DK5
IXTP64N10L2
IXTP64N10L2
$0 $/Stück
STB6NK60Z-1

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