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R8003KNXC7G

R8003KNXC7G

R8003KNXC7G

800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW

R8003KNXC7G Technisches Datenblatt

nicht konform

R8003KNXC7G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.61000 $2.61
500 $2.5839 $1291.95
1000 $2.5578 $2557.8
1500 $2.5317 $3797.55
2000 $2.5056 $5011.2
2500 $2.4795 $6198.75
1982 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 300 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 36W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IRF740STRRPBF
TN2106K1-G
IRFBG30PBF-BE3
BS170FTA
BS170FTA
$0 $/Stück
BSC079N03SG
RM15P60LD
RM15P60LD
$0 $/Stück
NVMFS6H818NWFT1G
NVMFS6H818NWFT1G
$0 $/Stück
R6046ANZ1C9

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