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RF4E070BNTR

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MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8

RF4E070BNTR Technisches Datenblatt

compliant

RF4E070BNTR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.35280 -
860 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 28.6mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.9 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 410 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket HUML2020L8
Paket / Koffer 8-PowerUDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRF730STRRPBF
IRF3709PBF
2N6792TX
2N6792TX
$0 $/Stück
SIHP33N60E-GE3
FQP13N06
SCTH40N120G2V7AG
NTP65N02R
NTP65N02R
$0 $/Stück
SIHG22N60E-GE3
RF4E070GNTR

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