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RHU002N06T106

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MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3

compliant

RHU002N06T106 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.06360 -
6,000 $0.05724 -
15,000 $0.05088 -
30,000 $0.04770 -
75,000 $0.04452 -
458 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.4Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 15 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 200mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket UMT3
Paket / Koffer SC-70, SOT-323
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Zugehörige Teilenummer

IRFD014PBF
IRFD014PBF
$0 $/Stück
IXFN90N85X
IXFN90N85X
$0 $/Stück
SSS1N60B
DMN3404LQ-7
SIR4608DP-T1-GE3
MTAJ3055EL
MTAJ3055EL
$0 $/Stück
SQM40022E_GE3

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