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RV2C002UNT2L

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MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3

compliant

RV2C002UNT2L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.05800 -
16,000 $0.04930 -
24,000 $0.04640 -
56,000 $0.04350 -
200,000 $0.04060 -
643 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 180mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.2V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 2Ohm @ 150mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 12 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 100mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket VML1006
Paket / Koffer SC-101, SOT-883
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Zugehörige Teilenummer

SIS890ADN-T1-GE3
DMN10H170SFDE-7
FQD5N30TM
STF2LN60K3
STF2LN60K3
$0 $/Stück
FCD1300N80Z
FCD1300N80Z
$0 $/Stück
IRLZ34PBF
IRLZ34PBF
$0 $/Stück
IXFH150N20T
IXFH150N20T
$0 $/Stück
DN2540N8-G

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