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STF16N65M5

STF16N65M5

STF16N65M5

MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP

STF16N65M5 Technisches Datenblatt

compliant

STF16N65M5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $2.90640 -
50 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 299mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1250 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 25W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS5C468NLAFT1G
NVMFS5C468NLAFT1G
$0 $/Stück
IXTH2N150L
IXTH2N150L
$0 $/Stück
STD9NM50N
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$0 $/Stück
IRFP054PBF
IRFP054PBF
$0 $/Stück
NVMFS5C442NWFET1G
NVMFS5C442NWFET1G
$0 $/Stück
SI4401DDY-T1-GE3
STF100N10F7

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