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STL100N8F7

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MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT

SOT-23

STL100N8F7 Technisches Datenblatt

nicht konform

STL100N8F7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.34000 -
6,000 $1.29600 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.1mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 46.8 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3435 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.8W (Ta), 120W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SI2312CDS-T1-BE3
R6007KNJTL
R6007KNJTL
$0 $/Stück
2SK3199
2SK3199
$0 $/Stück
SI3424CDV-T1-BE3
ON5441518
ON5441518
$0 $/Stück
SUM70101EL-GE3

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