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SSM3J112TU,LF

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MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM

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SSM3J112TU,LF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.10206 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 390mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.8V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 86 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 800mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket UFM
Paket / Koffer 3-SMD, Flat Leads
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Zugehörige Teilenummer

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