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TK12A80W,S4X

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TK12A80W,S4X

MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS

nicht konform

TK12A80W,S4X Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.14000 $3.14
50 $2.52000 $126
100 $2.29600 $229.6
500 $1.85920 $929.6
1,000 $1.56800 -
18 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 450mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 570µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1400 pF @ 300 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220SIS
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SQJ444EP-T1_GE3
PSMN7R6-100BSEJ
NTMS5P02R2SG
NTMS5P02R2SG
$0 $/Stück
IRFH8334TRPBF
FDPF10N60ZUT
FDPF10N60ZUT
$0 $/Stück
IXTJ4N150
IXTJ4N150
$0 $/Stück

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