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IRF620STRRPBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

nicht konform

IRF620STRRPBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.14000 $2.14
500 $2.1186 $1059.3
1000 $2.0972 $2097.2
1500 $2.0758 $3113.7
2000 $2.0544 $4108.8
2500 $2.033 $5082.5
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 800mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 260 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

STD7NM64N
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IXTK17N120L
IXTK17N120L
$0 $/Stück
SQM120N02-1M3L_GE3
IRFDC20PBF
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$0 $/Stück
STB30NF20
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2N7000-G
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STU9N65M2
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