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SQM120N02-1M3L_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 120A TO263

nicht konform

SQM120N02-1M3L_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.17000 $3.17
500 $3.1383 $1569.15
1000 $3.1066 $3106.6
1500 $3.0749 $4612.35
2000 $3.0432 $6086.4
2500 $3.0115 $7528.75
715 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.3mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 290 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 14500 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IRFDC20PBF
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$0 $/Stück
STB30NF20
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$0 $/Stück
2N7000-G
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$0 $/Stück
STU9N65M2
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$0 $/Stück
MCG30N03A-TP
MMIX1F44N100Q3
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$0 $/Stück
IXFA36N20X3
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$0 $/Stück
R6024KNJTL
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$0 $/Stück
NTMFS4D2N10MDT1G
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$0 $/Stück

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