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2N7000-G

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MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3

2N7000-G Technisches Datenblatt

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2N7000-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.38000 $0.38
25 $0.31920 $7.98
100 $0.28840 $28.84
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 60 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-92-3
Paket / Koffer TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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Zugehörige Teilenummer

STU9N65M2
STU9N65M2
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MCG30N03A-TP
MMIX1F44N100Q3
MMIX1F44N100Q3
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IXFA36N20X3
IXFA36N20X3
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R6024KNJTL
R6024KNJTL
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NTMFS4D2N10MDT1G
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TPS1100PW
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IRF624PBF
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