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MCG30N03A-TP

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MOSFET N-CH 30V 30A DFN3333

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MCG30N03A-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.58000 $0.58
500 $0.5742 $287.1
1000 $0.5684 $568.4
1500 $0.5626 $843.9
2000 $0.5568 $1113.6
2500 $0.551 $1377.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1020 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 20W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3333
Paket / Koffer 8-VDFN Exposed Pad
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Zugehörige Teilenummer

MMIX1F44N100Q3
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IXFA36N20X3
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R6024KNJTL
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NTMFS4D2N10MDT1G
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