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STB30NF20

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MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK

STB30NF20 Technisches Datenblatt

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STB30NF20 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.55232 -
2,000 $1.47471 -
5,000 $1.41926 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 75mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1597 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

2N7000-G
2N7000-G
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STU9N65M2
STU9N65M2
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MCG30N03A-TP
MMIX1F44N100Q3
MMIX1F44N100Q3
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IXFA36N20X3
IXFA36N20X3
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R6024KNJTL
R6024KNJTL
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NTMFS4D2N10MDT1G
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TPS1100PW
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IRF624PBF
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