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SI1012CR-T1-GE3

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SI1012CR-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V SC75A

nicht konform

SI1012CR-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.11440 -
6,000 $0.10835 -
15,000 $0.09928 -
30,000 $0.09323 -
75,000 $0.08415 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 630mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 396mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2 nC @ 8 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 43 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 240mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-75A
Paket / Koffer SC-75, SOT-416
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Zugehörige Teilenummer

HUF75542S3S
STP4N80K5
STP4N80K5
$0 $/Stück
MSC750SMA170S
RM47N600T7
RM47N600T7
$0 $/Stück
R6011ENX
R6011ENX
$0 $/Stück
IRFH5301TRPBF
IRF6614TRPBF
SI1317DL-T1-BE3

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