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SI7613DN-T1-GE3

SI7613DN-T1-GE3

SI7613DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

compliant

SI7613DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.50840 -
6,000 $0.48453 -
15,000 $0.46748 -
30 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.7mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 87 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2620 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

CSD18511Q5AT
SIE822DF-T1-GE3
BSS127SSN-7
APT38F80L
AUIRF1404STRL
IXFN360N15T2
IXFN360N15T2
$0 $/Stück
DMT3009LFVWQ-7
IXFX32N80P
IXFX32N80P
$0 $/Stück

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