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SIA472EDJ-T1-GE3

SIA472EDJ-T1-GE3

SIA472EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

compliant

SIA472EDJ-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
6,000 $0.17628 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 20mOhm @ 10.8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1265 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 19.2W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

DMTH6012LPSW-13
NVMTS1D0N04CLTXG
NVMTS1D0N04CLTXG
$0 $/Stück
STB6N65K3
STB6N65K3
$0 $/Stück
30507-001-XTD
30507-001-XTD
$0 $/Stück
FDC697P
NVHL040N65S3HF
NVHL040N65S3HF
$0 $/Stück
DMN6013LFGQ-13

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