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SIA533EDJ-T1-GE3

SIA533EDJ-T1-GE3

SIA533EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

nicht konform

SIA533EDJ-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.24368 -
6,000 $0.22883 -
15,000 $0.21398 -
30,000 $0.20358 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.5A
rds ein (max) @ id, vgs 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 420pF @ 6V
Leistung - max. 7.8W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Dual
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Zugehörige Teilenummer

FDMS3606AS
SQJ262EP-T1_GE3
FDC8602
FDC8602
$0 $/Stück
QS6J1TR
QS6J1TR
$0 $/Stück
DMN3061SVT-13
NTGD3133PT1G
NTGD3133PT1G
$0 $/Stück
FDPC1002S

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