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SIDR500EP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET

nicht konform

SIDR500EP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.61000 $3.61
500 $3.5739 $1786.95
1000 $3.5378 $3537.8
1500 $3.5017 $5252.55
2000 $3.4656 $6931.2
2500 $3.4295 $8573.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 94A (Ta), 421A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.47mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (max) +16V, -12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8960 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

SI2337DS-T1-GE3
NTE2987
NTE2987
$0 $/Stück
FDB8445
FDB8445
$0 $/Stück
NVTYS010N04CLTWG
NVTYS010N04CLTWG
$0 $/Stück
IRLHM620TRPBF
FDD6778A
SISA14BDN-T1-GE3
RF6E045AJTCR

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