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SIHG052N60EF-GE3

SIHG052N60EF-GE3

SIHG052N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 48A TO247AC

compliant

SIHG052N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.06000 $7.06
500 $6.9894 $3494.7
1000 $6.9188 $6918.8
1500 $6.8482 $10272.3
2000 $6.7776 $13555.2
2500 $6.707 $16767.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 48A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 52mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 101 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3380 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 278W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

DMN3300U-7
DMN3007LSS-13
SQ3419AEEV-T1_GE3
NTNS3A91PZT5G
NTNS3A91PZT5G
$0 $/Stück
IXTT500N04T2
IXTT500N04T2
$0 $/Stück
SI4425FDY-T1-GE3

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