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SISS30ADN-T1-GE3

SISS30ADN-T1-GE3

SISS30ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK

SOT-23

nicht konform

SISS30ADN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.40000 $1.4
500 $1.386 $693
1000 $1.372 $1372
1500 $1.358 $2037
2000 $1.344 $2688
2500 $1.33 $3325
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1295 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

IXFP5N100P
IXFP5N100P
$0 $/Stück
RM50N150DF
RM50N150DF
$0 $/Stück
NTD20N06T4G
NTD20N06T4G
$0 $/Stück
NTD70N03R-1
NTD70N03R-1
$0 $/Stück
SQ4840EY-T1_GE3
SQM100N04-2M7_GE3
DMTH47M2LPSW-13

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