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SISS5710DN-T1-GE3

SISS5710DN-T1-GE3

SISS5710DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

compliant

SISS5710DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.79000 $1.79
500 $1.7721 $886.05
1000 $1.7542 $1754.2
1500 $1.7363 $2604.45
2000 $1.7184 $3436.8
2500 $1.7005 $4251.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.2A (Ta), 26.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 31.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 770 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.1W (Ta), 54.3W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

STW35N65DM2
APT1204R7BFLLG
FDMS86310
FDMS86310
$0 $/Stück
PMV20XNEAR
PMV20XNEAR
$0 $/Stück
SIE882DF-T1-GE3
SQJQ480E-T1_GE3

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