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SQJ407EP-T1_GE3

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SQJ407EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

SOT-23

nicht konform

SQJ407EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.58056 -
6,000 $0.55330 -
15,000 $0.53383 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 260 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 68W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

PSMN2R0-25YLDX
IXTP1N80P
IXTP1N80P
$0 $/Stück
BUK761R8-30C,118
BUK761R8-30C,118
$0 $/Stück
AUIRFR5305TRL
HUFA76419P3
FQPF12N60
2SJ589LS
2SJ589LS
$0 $/Stück

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