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SQJ414EP-T1_BE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

nicht konform

SQJ414EP-T1_BE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.99000 $0.99
500 $0.9801 $490.05
1000 $0.9702 $970.2
1500 $0.9603 $1440.45
2000 $0.9504 $1900.8
2500 $0.9405 $2351.25
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1110 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

FDY101PZ
FDY101PZ
$0 $/Stück
IXFN240N15T2
IXFN240N15T2
$0 $/Stück
SIHF9630S-GE3
IRFSL7540PBF
STH6N95K5-2
SUD23N06-31-BE3
IRL640A
IRL640A
$0 $/Stück
RM3010S6
RM3010S6
$0 $/Stück

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