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IPB017N10N5ATMA1

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MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

compliant

IPB017N10N5ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $3.68553 -
2,000 $3.50125 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 180A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.8V @ 279µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 210 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 15600 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-7
Paket / Koffer TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Zugehörige Teilenummer

VN1206L-G
PMPB47XP,115
IXFN60N80P
IXFN60N80P
$0 $/Stück
SQSA80ENW-T1_GE3
NTMT190N65S3HF
NTMT190N65S3HF
$0 $/Stück
IXTH340N04T4
IXTH340N04T4
$0 $/Stück
IXTA08N50D2
IXTA08N50D2
$0 $/Stück
SIDR402DP-T1-RE3
IRF300P227

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