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IXTL2N450

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IXYS

MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK

IXTL2N450 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTL2N450 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $88.80000 $88.8
25 $79.36520 $1984.13
100 $77.70000 $7770
46 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 4500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 23Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 156 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 220W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket ISOPLUSi5-Pak™
Paket / Koffer ISOPLUSi5-Pak™
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Zugehörige Teilenummer

2N7002LT7G
2N7002LT7G
$0 $/Stück
SI8800EDB-T2-E1
2N7002,215
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$0 $/Stück
IXFH30N60P
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NTGS3443T1G
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NTTFS022N15MC
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