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TN5325N8-G

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MOSFET N-CH 250V 316MA TO243AA

SOT-23

TN5325N8-G Technisches Datenblatt

nicht konform

TN5325N8-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $0.45320 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 316mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 110 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-243AA (SOT-89)
Paket / Koffer TO-243AA
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Zugehörige Teilenummer

RD3L150SNTL1
FDB3672-F085
FDB3672-F085
$0 $/Stück
RQ5P010SNTL
RM21N700T2
RM21N700T2
$0 $/Stück
FDB070AN06A0-F085
FDB070AN06A0-F085
$0 $/Stück
SI4866DY-T1-GE3
FDMS8690
SIHP35N60E-BE3

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