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PMPB100ENEX

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MOSFET DFN2020MD-6

SOT-23

PMPB100ENEX Technisches Datenblatt

nicht konform

PMPB100ENEX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.16107 -
6,000 $0.15249 -
15,000 $0.14391 -
30,000 $0.13361 -
75,000 $0.12932 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 72mOhm @ 3.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 157 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.3W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN2020MD-6
Paket / Koffer 6-UDFN Exposed Pad
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Zugehörige Teilenummer

SISS30ADN-T1-GE3
IXFP5N100P
IXFP5N100P
$0 $/Stück
RM50N150DF
RM50N150DF
$0 $/Stück
NTD20N06T4G
NTD20N06T4G
$0 $/Stück
NTD70N03R-1
NTD70N03R-1
$0 $/Stück
SQ4840EY-T1_GE3

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