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TK7A90E,S4X

TK7A90E,S4X

TK7A90E,S4X

MOSFET N-CH 900V 7A TO220SIS

SOT-23

TK7A90E,S4X Technisches Datenblatt

nicht konform

TK7A90E,S4X Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.69000 $1.69
50 $1.36500 $68.25
100 $1.22850 $122.85
500 $0.95550 $477.75
1,000 $0.79170 -
2,500 $0.76440 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 900 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 700µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1350 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220SIS
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SISS30ADN-T1-GE3
IXFP5N100P
IXFP5N100P
$0 $/Stück
RM50N150DF
RM50N150DF
$0 $/Stück
NTD20N06T4G
NTD20N06T4G
$0 $/Stück
NTD70N03R-1
NTD70N03R-1
$0 $/Stück
SQ4840EY-T1_GE3
SQM100N04-2M7_GE3

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