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SIHB28N60EF-GE3

SIHB28N60EF-GE3

SIHB28N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK

SOT-23

nicht konform

SIHB28N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.09000 $7.09
10 $6.35600 $63.56
100 $5.25170 $525.17
500 $4.29498 $2147.49
1,000 $3.65720 -
3,000 $3.48549 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 28A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 123mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2714 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

STL100N8F7
STL100N8F7
$0 $/Stück
SI2312CDS-T1-BE3
R6007KNJTL
R6007KNJTL
$0 $/Stück
2SK3199
2SK3199
$0 $/Stück
SI3424CDV-T1-BE3
ON5441518
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$0 $/Stück
SUM70101EL-GE3

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