Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIHJ240N60E-T1-GE3

SIHJ240N60E-T1-GE3

SIHJ240N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A PPAK SO-8

compliant

SIHJ240N60E-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.37511 -
6,000 $1.32418 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 240mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 783 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 89W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

IRF353
IRF353
$0 $/Stück
FCPF7N60NT
FCPF7N60NT
$0 $/Stück
SI2318DS-T1-GE3
HUF76121P3
SIHD6N65ET1-GE3
FKP252
FKP252
$0 $/Stück
STB57N65M5
STB57N65M5
$0 $/Stück
IXFK44N80P
IXFK44N80P
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.